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Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件

器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK®1212-8S封裝

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝。Vishay SiliconixSiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。


与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解決方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改進了技術規格,經過調校最大限度降低導通和開關損耗,多電源管理系統構件可實現更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級,以及通信和服務器電源OR-ing功能、電動工具和工業設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。

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