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富士通电子将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品

165 關鍵詞:  只讀存儲器 電池 

拥有业界最低读取电流的内存 适用于小型穿戴装置

上海,2019年8月8日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出业内最高密度8Mbit ReRAM(注1)---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(注2)合作开发,将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非挥发性内存,能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均电流,在5MHz工作频率下仅需0.15mA读取数据,这让需透过電池供电且经常读取数据的装置能达到最低功耗。MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 (WL-CSP),所以非常适用于需電池供电的小型穿戴装置,包括助听器、智能手表及智能手环等。

MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 (WL-CSP)

MB85AS8MT的三大特色與相關應用

富士通电子提供各种铁电随机存取内存 (FRAM)(注3) 産品,能提供比EEPROM與閃存更高的耐寫次數與更快的寫入速度。富士通電子的FRAM産品以最佳的非揮發性內存聞名,尤其是需要非常頻繁記錄及保護寫入的數據以避免突然斷電時導致數據遺失。但同時,也有些客戶提出需要較低電流讀取運作的內存,因爲他們的應用僅需少量的寫入次數,卻極頻繁地讀取數據。

为满足此需求,富士通电子特别开发出新型态的非挥发性ReRAM内存“MB85AS8MT”,兼具“高密度位存取”及“低读取电流”的特色。其为全球最高密度的8Mbit ReRAM量产产品,采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的广泛电压,且包含指令与时序在内的电气规格都兼容于EEPROM产品。

“MB85AS8MT”最大的特色在于即使擁有超高密度,仍能達到極小的平均讀取電流。例如,在5MHz的工作頻率下,平均讀取電流爲0.15mA,僅相當于高密度EEPROM器件所需電流的5%。

因此,在需要透过電池供电的产品中,像是特定程序读取或设定数据读取这类需要频繁读取数据的应用中,透过此内存的超低读取电流特性,该产品即能大幅降低電池的耗电量。

在5MHz的工作頻率下,

MB85AS8MT的平均讀取電流僅爲高密度EEPROM器件的5%

除了提供与EEPROM兼容的8针脚小外形封装 (SOP) 外,还可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP,适用于装设在小型穿戴装置中。

MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP

高密度内存与低功耗的MB85AS8MT采用极小封装规格,成为最适合用于需以電池供电的小型穿戴装置的内存,例如助听器、智能手表及智能手环等。

富士通電子將持續致力研發最佳內存,支持客戶對各種特殊應用的需求。

關鍵規格

· 器件型號:MB85AS8MT

· 内存密度 (组态):8 Mbit (1M字符x 8位)

· 界面:序列外圍接口 (SPI)

· 運作電壓:1.6V至3.6V

· 運作頻率:最高10MHz

· 低功耗:读取运作电流0.15mA (5MHz下取平均值)

· 寫入周期時間:10ms

· 分页容量:256 bytes

· 保證寫入周期:100萬次

· 保證讀取周期:無限

· 数据保留:10年 (最高耐热达85°C)

· 封装:11-pin WL-CSP与8-pin SOP

注:

可变电阻式随机存取内存 (ReRAM):为非挥发性内存,藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简,由两电极间简易金属氧化物架构组成,使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。

松下电器半导体有限公司Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.:

〒 617-8520 日本京都府长冈京市神足焼町1番地

網址:https://www.panasonic.com/jp/company/pscs/en.html

鐵電隨機存儲器 (FRAM):FRAM是一種采用鐵電質薄膜作爲電容器以儲存數據的內存,即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性,並擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀寫周期的優點。富士通自1999年開始生産FRAM,亦稱爲FeRAM。

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